-
1 Source-Substrat-Spannung
напряжение исток-подложка
-
Обозначение
UИП
USB
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
- source-substrate (d. c.) voltage
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Source-Substrat-Spannung
-
2 Quellen-Substrat-Spannung
сущ.микроэл. напряжение исток подложка, напряжение исток-подложкаУниверсальный немецко-русский словарь > Quellen-Substrat-Spannung
-
3 Source-Substrat-Spannung
сущ.микроэл. напряжение исток подложка, напряжение исток-подложкаУниверсальный немецко-русский словарь > Source-Substrat-Spannung
-
4 maximal zulässige Source-Bulk-Spannung
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximal zulässige Source-Bulk-Spannung
-
5 Substrat-Quellen-Spannung
сущ.микроэл. напряжение подложка исток, напряжение подложка-истокУниверсальный немецко-русский словарь > Substrat-Quellen-Spannung
См. также в других словарях:
напряжение исток-подложка — Обозначение UИП USB [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы EN source substrate (d. c.) voltage DE Source Substrat Spannung FR tension (continue) source substrat … Справочник технического переводчика
максимально допустимое напряжение исток-подложка — Обозначение UИПmax USBmax [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы EN maximum source substrate voltage DE maximal zulässige Source Bulk Spannung FR tension maximale source substrat … Справочник технического переводчика
Источник опорного напряжения — Источник, или генератор, опорного напряжения (ИОН) базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных… … Википедия
ГОСТ 25532-89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения — Терминология ГОСТ 25532 89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения оригинал документа: 21. Абсолютная неравномерность выходного сигнала ФППЗ Разность максимального и минимального значений выходного сигнала ФППЗ по… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
КВАНТОВЫЕ РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ — изменение термодинамич. и кинетич. свойств кристалла, когда хотя бы один из его геом. размеров становится соизмеримым с длиной волны де Бройля l Б электронов. К. р. э. обусловлены квантованием движения электрона в направлении, в к ром размер… … Физическая энциклопедия
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА — (ИС), микроэлектронная схема, сформированная на крошечной пластинке (кристаллике, или чипе ) полупроводникового материала, обычно кремния, которая используется для управления электрическим током и его усиления. Типичная ИС состоит из множества… … Энциклопедия Кольера
